Юрий Раков - Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5
Жанры: | Жанр к этой книге еще не добавлен |
---|
Случайная цитата из книги
К этой книге еще не добавлены цитаты Добавить цитатуРекомендуемый контент
Описание книги «Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5»
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.
С книгой «Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5» читают
Рецензии на книгу «Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5»
Рецензий еще нет. Вы можете стать первым, кто напишет рецензию на книгу «Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5»!
Пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите, чтобы оставить рецензию. Регистрация займет не более 15 секунд.
Популярные списки книг
Эти книги могут быть интересны:
- Пустыня
- Сознательное?
- The Last Kids on Earth and the Zombie Parade
- Саморазвитие. Что делать? Мысли вслух. Часть 1.
- Аудиокультура XX века. История, эстетические закономерности, особенности влияния на аудиторию. Очерки
- Convective Heat Transfer. Solved Problems
- Размышлялки III. Чайный домик
- Тетушка, которая не умирает
- A Night Without End
- A Duel
Отзывы на книгу «Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5»
Отзывов еще нет. Станьте первым, кто напишет отзыв на книгу «Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5»!
Пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите, чтобы написать отзыв. Регистрация займет не более 15 секунд.