He Gang - High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology
Жанры: | Жанр к этой книге еще не добавлен |
---|
Случайная цитата из книги
К этой книге еще не добавлены цитаты Добавить цитатуРекомендуемый контент
Описание книги «High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology»
A state-of-the-art overview of high-k dielectric materials for advanced field-effect transistors, from both a fundamental and a technological viewpoint, summarizing the latest research results and development solutions. As such, the book clearly discusses the advantages of these materials over conventional materials and also addresses the issues that accompany their integration into existing production technologies. Aimed at academia and industry alike, this monograph combines introductory parts for newcomers to the field as well as advanced sections with directly applicable solutions for experienced researchers and developers in materials science, physics and electrical engineering.
С книгой «High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology» читают
Рецензии на книгу «High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology»
Рецензий еще нет. Вы можете стать первым, кто напишет рецензию на книгу «High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology»!
Пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите, чтобы оставить рецензию. Регистрация займет не более 15 секунд.
Популярные списки книг
Эти книги могут быть интересны:
- Терриконы древнего мира
- Теория статистики. Учебник и практикум для академического бакалавриата
- Управление производством. Расчет основных технико-экономических показателей деятельности производственного участка
- Рыжий, или Лешке бролес. Лесные братья Прибалтики
- Гуляй-поле в русской революции. Воспоминания
- Драконы в архитектуре модерна
- Хозяин EIS13-707FJ
- Соблазню тебя нежно
- Кайрос
- Топология российской нации
Отзывы на книгу «High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology»
Отзывов еще нет. Станьте первым, кто напишет отзыв на книгу «High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology»!
Пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите, чтобы написать отзыв. Регистрация займет не более 15 секунд.